2)操作方式
晶體單元可以用在電路中，以串聯(lián)或并聯(lián)兩種方式工作。
a)串聯(lián)諧振:在串聯(lián)諧振下工作的晶體單元在電路中呈現(xiàn)電阻性，晶體單元的值幾乎等于動生電阻R1。大多數(shù)晶體都是在串聯(lián)諧振下制造的，除非規(guī)定了負載能力。
b)并聯(lián)諧振:在并聯(lián)諧振下工作的晶體在電路中出現(xiàn)電感。晶體頻率將由晶體的等效電參數(shù)和負載電容CL決定，負載電容CL是決定晶體單元在振蕩器電路中使用時的“條件”的一個因素。在普通振蕩電路中，晶體單元用在它起感抗作用的范圍內(nèi)。

換句話說，當從晶體單元的兩端觀察振蕩電路時，該振蕩電路可以表示為負電阻-R和電容CL的串聯(lián)電路。那時這個電容叫做負載電容。

負載電容之間的關(guān)系小，頻率變化量大，并且當負載電容增加時，頻率變化降低。如果減小電路中的負載電容，以確保振蕩頻率有較大的容差，則即使電路中有很小的變化，頻率穩(wěn)定性也會受到很大影響。負載能力可以從數(shù)據(jù)表上規(guī)定的標準值中選擇。

3)并聯(lián)電容
并聯(lián)電容(Co)是晶振端子之間的電容。它因封裝而異，通常在SMD晶振單元中較小，在含鉛晶振單元中為6-7pF。

4)頻率-溫度特性
為了將晶體單元用作振蕩器，要求其振蕩頻率對溫度變化保持穩(wěn)定。石英晶體具有晶軸，并且晶體切割是根據(jù)相對于晶軸的切割角度及其相關(guān)的振動模式來定義的。最常用的AT切割晶體單元的頻率-溫度特性由三次曲線表示。(見圖2)以一個角度切割石英晶體晶片，在該角度下，在給定的工作溫度范圍內(nèi)獲得所需的頻率容差。然而，實際上，由于連續(xù)工藝中切割和拋光精度的結(jié)果，表觀切割角可能存在一些差異。因此，需要優(yōu)化加工精度。

5)校準公差
校準容差是在特定溫度(通常為25°c)下與標稱頻率的最大容許偏差，通常用百萬分率(ppm)或標稱頻率的百分比來表示。

6)穩(wěn)定性
穩(wěn)定性是指在指定溫度范圍內(nèi)，相對于標稱頻率的最大允許偏差，在25°C時以0為基準，用百萬分之一或標稱頻率的百分比來表示。如前所述，該參數(shù)取決于石英晶片切割的角度。

7)整體頻率容差
總頻率容差是指由于溫度、時間和其他環(huán)境條件的變化，相對于標稱頻率的最大容許偏差。

8)老化
石英晶體老化適用于頻率的累積變化，其導致晶體單元工作頻率的永久變化。在運行的前45天，頻率的變化速度最快。衰老涉及許多相互關(guān)聯(lián)的因素，一些最常見的因素是:
●內(nèi)污染
●駕駛水平過高
●晶體表面變化
●各種熱效應
●電線疲勞
●摩擦磨損

結(jié)合低工作環(huán)境、最小驅(qū)動電平和靜態(tài)老化適當電路設計將大大減少老化問題，但不是全部。在10MHz范圍內(nèi)工作的電阻焊接晶體單元的典型老化數(shù)字為每年百萬分之二(ppm)。

9)可拉性
晶振的可拉性指的是工作在并行模式下的晶振，衡量頻率變化與負載電容的關(guān)系。對于希望通過改變負載電容值來實現(xiàn)單個晶體多種工作頻率的電路設計者來說，可拉性非常重要。

10)泛音晶體
該晶體通常在其基頻下工作，但通過對電路進行微調(diào)，也可以在其3次、5次、7次和9次諧波下工作。泛音晶體經(jīng)過特殊處理，具有平面平行度和表面光潔度，以增強其在所需泛音諧波振動中的性能。

11)虛假響應
晶體也可能以與其基頻或泛音頻率無關(guān)的頻率振動。這種不需要的頻率被稱為雜散頻率。電路設計人員應確保振蕩反饋電路在所需工作頻率下實現(xiàn)最高增益，從而保護電路免受雜散影響。

12)驅(qū)動級別
由于晶體單元執(zhí)行機械振動，過多的振動可能導致不穩(wěn)定的振蕩頻率，并且最終在最壞的情況下可能導致對石英晶體晶片的嚴重損壞。設計振蕩電路時，應檢查驅(qū)動電平，以便使用低于數(shù)據(jù)手冊規(guī)定電平的振蕩器。圖4示出了確認驅(qū)動水平的示例方法。這種方法使用電流探針來測量晶體振蕩器電流。在這種情況下，驅(qū)動級別如右:

13)絕緣電阻
晶體單元的兩個焊接端子之間或引線與外殼(金屬外殼)之間的電阻。在100v±15V的DC電壓下進行測試，絕緣電阻在500M歐姆的范圍內(nèi)。

14)質(zhì)量因素
品質(zhì)因數(shù)是運動電感、諧振頻率和等效串聯(lián)電阻(ESR)的品質(zhì)函數(shù)。它通常在幾萬到幾十萬之間。