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愛普生的帶電壓晶振具有較寬的范圍X1G005591010600

來源:http://m.tqlwapf.cn 作者:niss 2022年09月06
愛普生的帶電壓晶振具有較寬的范圍X1G005591010600,在這個(gè)快速變化的市場(chǎng)中,大量研發(fā)生產(chǎn)高精密的3225mm有源晶振,2520mm有源晶振,2016mm有源晶振等尺寸,為廣大用戶提供廣泛尺寸空間選擇的晶振產(chǎn)品,隨著研發(fā)技術(shù)的不斷精進(jìn),高精密,高質(zhì)量的3225mm有源晶振被廣泛使用于各個(gè)領(lǐng)域當(dāng)中,并獲汽車電子領(lǐng)域的青睞,作為小體積晶振的代表產(chǎn)品線,3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
Product Number 進(jìn)口晶振型號(hào) Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol. I [Max]
X1G005591008600 SG-8018CE 4.915200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591008700 SG-8018CE 1.843200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591008800 SG-8018CE 33.333000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591008900 SG-8018CE 56.602205 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591009000 SG-8018CE 36.810000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591009200 SG-8018CE 16.384000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009300 SG-8018CE 19.922944 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009400 SG-8018CE 1.200000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009500 SG-8018CE 15.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009600 SG-8018CE 13.333300 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009700 SG-8018CE 66.666600 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591009800 SG-8018CE 11.059200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591009900 SG-8018CE 13.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010000 SG-8018CE 13.560000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010100 SG-8018CE 14.318180 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010200 SG-8018CE 18.432000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010300 SG-8018CE 19.200000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010400 SG-8018CE 2.048000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010500 SG-8018CE 3.686400 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010600 SG-8018CE 60.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591010700 SG-8018CE 7.372800 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591010800 SG-8018CE 80.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.9 mA
X1G005591010900 SG-8018CE 16.666667 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591011000 SG-8018CE 3.580000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
愛普生的帶電壓晶振具有較寬的范圍X1G005591010600,振蕩裕量是指振蕩停止的裕量,這是振蕩電路中最重要的術(shù)語。
石英晶體振蕩器。該裕量是以晶體諧振器電阻為基礎(chǔ)的比值,表明振蕩電路放大能力的大小。理論上來說,在裕量大于或等于1時(shí),振蕩電路可以運(yùn)行。但是,在振蕩裕量接近1時(shí),由于振蕩啟動(dòng)時(shí)間過長等原因,模塊運(yùn)行可能會(huì)失敗。可以通過增加振蕩裕量來解決此類問題。
可以使用如下方法計(jì)算振蕩裕量:
振蕩裕量 [倍] = |-R|/R1spec |-R|: 負(fù)阻
R1spec: 規(guī)范中規(guī)定的晶體諧振器等效串聯(lián)電阻最大值。
請(qǐng)參考晶體諧振器目錄或數(shù)據(jù)表中的R1 spec值。
可以測(cè)量實(shí)際振蕩電路的負(fù)阻。
最好使振蕩裕量大于或等于5倍。

隨后愛普生晶振發(fā)布了SG-8018CE晶振,帶電壓晶振編碼X1G005591010600,頻率60.000000兆赫,輸出WaveCMOS,供電電壓1.62至3.63 V,尺寸(長×寬×高)3.20 × 2.50 × 1.20毫米,工作溫度-40到+105°C,頻率公差±50ppm,額外的OptionsN /,OSC TypeProgrammable Clock時(shí)鐘OSC,安裝TypeSurface山,型號(hào)名稱項(xiàng)目名稱useSG-8018CE。當(dāng)前consumption5.2馬,頻率老化1包括在頻率允許范圍內(nèi)10年,頻率老化2 n / A,對(duì)稱性:45% ~ 55%
 
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