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來(lái)源:http://m.tqlwapf.cn 作者:康華爾電子 2022年09月24
壓控晶體振蕩器定義:壓控晶振(VCXO)是通過(guò)紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的OscillatorCrystal。
日本進(jìn)口愛(ài)普生晶振VG-4231CE,是一款VCXO壓控晶體振蕩器,頻率范圍:3MHz至50MHz,50MHz不包括在輸出頻率范圍內(nèi),電源電壓:3.3V(PSCM/CSCM),2.8V(PSBM/CSBM),1.8V (PQEM/CQEM),頻率控制范圍:140×10-6 (*SCM/*SBM),120×10-6 (*QEM),低功耗:1.0mA(典型值)。(27MHz,3.3V),小體積晶振尺寸:3.2x2.5mm,有源晶振,四腳貼片晶振,支持CMOS輸出,無(wú)鉛/符合歐盟RoHS指令,標(biāo)準(zhǔn)參考重量26毫克,具有超小型,輕薄型,低功耗,低抖動(dòng),低電源電壓,低損耗,低耗能,低電平等特點(diǎn),VCXO多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋系統(tǒng)和頻率調(diào)制,已成為通信機(jī)、移動(dòng)電話、尋呼機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)等許多電子應(yīng)用系統(tǒng)必不可少的關(guān)鍵部件。
VG-4231CE壓控晶振Q3614CE00006200用于鎖相技術(shù)和頻率負(fù)反饋系統(tǒng),Q3614CE00009500,有源晶振
日本進(jìn)口愛(ài)普生晶振VG-4231CE,是一款VCXO壓控晶體振蕩器,頻率范圍:3MHz至50MHz,50MHz不包括在輸出頻率范圍內(nèi),電源電壓:3.3V(PSCM/CSCM),2.8V(PSBM/CSBM),1.8V (PQEM/CQEM),頻率控制范圍:140×10-6 (*SCM/*SBM),120×10-6 (*QEM),低功耗:1.0mA(典型值)。(27MHz,3.3V),小體積晶振尺寸:3.2x2.5mm,有源晶振,四腳貼片晶振,支持CMOS輸出,無(wú)鉛/符合歐盟RoHS指令,標(biāo)準(zhǔn)參考重量26毫克,具有超小型,輕薄型,低功耗,低抖動(dòng),低電源電壓,低損耗,低耗能,低電平等特點(diǎn),VCXO多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋系統(tǒng)和頻率調(diào)制,已成為通信機(jī)、移動(dòng)電話、尋呼機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)等許多電子應(yīng)用系統(tǒng)必不可少的關(guān)鍵部件。
VG-4231CE壓控晶振Q3614CE00006200用于鎖相技術(shù)和頻率負(fù)反饋系統(tǒng),Q3614CE00009500,有源晶振
貼片晶振 | 型號(hào) | 頻率 | 尺寸 | 輸出波 |
Q3614CE00000600 | VG-4231CE | 27.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00001100 | VG-4231CE | 27.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00001200 | VG-4231CE | 27.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00001300 | VG-4231CE | 24.576000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00002300 | VG-4231CE | 24.576000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00002400 | VG-4231CE | 16.384000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00002700 | VG-4231CE | 17.734475MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00002900 | VG-4231CE | 24.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00003100 | VG-4231CE | 36.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00004100 | VG-4231CE | 25.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00004300 | VG-4231CE | 32.768000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00004400 | VG-4231CE | 25.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00004600 | VG-4231CE | 12.288000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00006000 | VG-4231CE | 11.289600MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00006100 | VG-4231CE | 32.768000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00006200 | VG-4231CE | 24.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00006600 | VG-4231CE | 28.636360MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00007100 | VG-4231CE | 32.768000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00007200 | VG-4231CE | 12.288000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00008000 | VG-4231CE | 16.777216MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00008100 | VG-4231CE | 12.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00008200 | VG-4231CE | 24.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00008300 | VG-4231CE | 25.165800MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00009400 | VG-4231CE | 9.600000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00009500 | VG-4231CE | 32.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00009700 | VG-4231CE | 25.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00009800 | VG-4231CE | 13.560000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
Q3614CE00009900 | VG-4231CE | 12.000000MHz | 3.20x2.50x1.05mm | CMOS |
VG-4231CE壓控晶振Q3614CE00006200用于鎖相技術(shù)和頻率負(fù)反饋系統(tǒng),Q3614CE00009500,有源晶振
壓控晶振用石英晶體作頻率控制元件,其振蕩頻率在工作溫度內(nèi)是穩(wěn)定的。當(dāng)我們對(duì)VCXO壓控晶振的進(jìn)行調(diào)諧時(shí),振蕩頻率會(huì)發(fā)生改變;但偏離標(biāo)稱頻率的各個(gè)頻率值在工作溫度范圍內(nèi)同樣是穩(wěn)定的。必須注意,對(duì)于一個(gè)給定的頻率而言,頻率穩(wěn)定度要求越高,要得到大范圍的牽引度就越困難。采用硅解決方案,不能獲得良好的頻率穩(wěn)定度。這是因?yàn)楣璐嬖陬潉?dòng)噪聲和相位噪聲所致。VCXO壓控晶振的采用了SMD晶振,頻率異常穩(wěn)定,是目前最好的頻率控制器件。
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