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更多>>什么叫做可編程貼片晶振?
來源:http://m.tqlwapf.cn 作者:晶振帝國(guó) 2016年11月17
什么叫做可編程晶振?其實(shí)可編程還有個(gè)很好聽的名字叫做:硅晶體,可編程石英晶振簡(jiǎn)單的解釋就是,把你需要的晶振頻率,精度,電壓,負(fù)載等要求提供過來,在通過簡(jiǎn)單的電腦編輯器,把你需要的這些參數(shù)在電腦控制器上,輸入你所提供的參數(shù),然后按下確定鍵就可以把頻率,電壓等參數(shù)寫入到空白的晶振片上。如果還是不明白你就想一下,IC是怎么編程的,原理跟IC編程一個(gè)道理,只不過IC編程有分為電腦編輯以及手工模擬編輯,手工模擬編輯就是把一顆工片放在主機(jī)上,母片放入編輯機(jī)的附件,按下確定就可以把公片上的IC系列參數(shù)復(fù)制進(jìn)入母片,不過目前可編輯的石英晶振現(xiàn)在還沒做到這種地步。
現(xiàn)在市面上對(duì)硅晶體技術(shù)以及產(chǎn)量做的最優(yōu)越的還得說美國(guó)的SiTime Crystal,對(duì)于美國(guó)SiTime晶振品牌來說在歐美市場(chǎng)非常受歡迎,并且很多大型科技企業(yè)得到了廣泛應(yīng)用,很遺憾的事,可編程硅晶體目前只針對(duì)有源石英晶體振蕩器系列,并不對(duì)普通壓電石英晶振可采取數(shù)據(jù)編輯。
SiTime硅晶振選型表
目前石英晶振行業(yè)可編輯的只針對(duì)貼片晶振系列產(chǎn)品,并且只限定有源晶振的石英晶體振蕩器OSC系列尺寸。如果是普通無源石英晶體諧振器系列的話,目前是還不支持可編程的,并且是指針對(duì)SMD晶振系列,如果是引線型的插件晶振目前也不在支持范圍。
根據(jù)早期電子元件信息平臺(tái)發(fā)布,將來美國(guó)SiTime Corporation公司的硅晶體技術(shù)將會(huì)代替壓電石英晶體,首先主要是先把硅晶體晶片植入ICCUP芯片一起綁定,硅晶體晶片跟ICCPU綁定之后,在外圍的線路上講可以省略預(yù)留壓電石英晶體的位置,起到對(duì)貼片晶振的取代,并且可以為日益變小的電子產(chǎn)品節(jié)省更多的空間,不過時(shí)間都已經(jīng)過去好幾年了,也沒見多有所行懂,目前應(yīng)該還存在理論上。
那么可編程石英晶振目前市場(chǎng)如何呢?可編程石英晶振目前市場(chǎng)前景在中國(guó)國(guó)內(nèi)來說市場(chǎng)并不是很好,國(guó)內(nèi)主要還是使用常規(guī)的壓電石英晶體振蕩器多點(diǎn),目前硅晶體可編程系列在國(guó)內(nèi)接受度并沒有得到廣泛的認(rèn)可,說難聽點(diǎn)很多人連聽都沒聽說過,更別說使用了。
目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)有用到硅晶體可編程貼片晶振的企業(yè)主要以歐美企業(yè),以及代工歐美OEM的企業(yè)比較多,因?yàn)榭删幊?a target="_blank">有源晶振在歐盟接受度還是比較大的。不過可硅晶體編程有源晶振對(duì)于一些工程設(shè)計(jì),或者產(chǎn)品開發(fā)人士來說是件非常好的事情,因?yàn)楹芏喈a(chǎn)品在開發(fā)階段使用頻率都還處在選型階段,而且硅晶體屬于可編程貼片晶振,這樣就大大的滿足了工程設(shè)計(jì)階段樣品采購(gòu)。
KDS晶振可編程系列M08008系列晶振
出力周波數(shù):1 MHz~110 MHz(小數(shù)點(diǎn)以下6桁まで対応)
外形寸法:2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波數(shù)許容偏差:±20 x 10-6
低消費(fèi)電流:+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入門級(jí)SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太網(wǎng)
那么目前在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)都有那些品牌在做可編程石英晶振呢?在做的品牌有日本大真空KDS晶振,精工愛普生株式會(huì)社,愛普生晶振,日本京瓷晶振,KSS晶振品牌,以及臺(tái)灣泰藝晶振,臺(tái)灣亞陶晶振,美國(guó)SiTime晶振,不過目前在市場(chǎng)銷售的品牌也就主要以美國(guó)SiTime晶振品牌為主了,臺(tái)灣晶振品牌,以及日本進(jìn)口晶振品牌中,在市場(chǎng)公開普及銷售的還是比較少,不過日本的愛普生晶振品牌,以及KDS晶振品牌,這兩個(gè)品牌目前可接受可編程晶振的定制,不過價(jià)格比起普通的壓電石英晶體振蕩器來說,還是非常昂貴的。
現(xiàn)在市面上對(duì)硅晶體技術(shù)以及產(chǎn)量做的最優(yōu)越的還得說美國(guó)的SiTime Crystal,對(duì)于美國(guó)SiTime晶振品牌來說在歐美市場(chǎng)非常受歡迎,并且很多大型科技企業(yè)得到了廣泛應(yīng)用,很遺憾的事,可編程硅晶體目前只針對(duì)有源石英晶體振蕩器系列,并不對(duì)普通壓電石英晶振可采取數(shù)據(jù)編輯。
SiTime硅晶振選型表
普通單端振蕩器XO 1-220MHz |
高性能、低抖動(dòng) <1 ps Phase Jitter ±10ppm |
SiT8208(1-80MHz) |
SiT8209(80.000001-220 MHz) | ||
低功耗系列 <3.8mA |
SiT8008(1-110MHz,最小封裝尺寸2.0×1.6mm) | |
SiT8009(115-137MHz) | ||
業(yè)界首款SOT23封裝振蕩器 成本更低 |
SiT2001(1-110MHz,SOT23-5封裝2.9×2.8mm) | |
SiT2002(115-137MHz) | ||
RTC時(shí)鐘32.768KHz 超低功耗,超高精度 |
典型值0.9uA ±20ppm |
SiT1533(2.0×1.2mm,SMD) |
SiT1532(1.5×0.8mm,CSP) | ||
SiT1630(2012 SMD,-40~105℃) | ||
業(yè)界精度最高32.768K TCXO | SiT1552(±5ppm,1.5×0.8mm) | |
差分振蕩器DXO 1-625MHz |
LVDS/LVPECL <1 ps Phase Jitter ±10ppm |
SiT9121(1-220MHz,2.25~3.63v) |
SiT9122(220.000001-625MHz,最小封裝可到3.2×2.5mm) | ||
壓控振蕩器VCXO 1-625MHz |
<1 ps Jitter LVCMOS/LVTTL |
SiT3808(1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm) |
SiT3809(80.000001-220 MHz) | ||
<0.75 ps Jitter LVDS/LVPECL |
SiT3821(1-220MHz) | |
SiT3822(220.000001-625MHz) | ||
抗沖擊寬溫振蕩器 -55℃~125℃,±20ppm MTBF 13億小時(shí) |
AEC-Q100汽車級(jí)振蕩器 SOT23-5封裝 |
SiT2024(1-110MHz, -40~105℃, -40~125℃) |
SiT2025(115.2-137MHz) | ||
AEC-Q100汽車級(jí)振蕩器 普通SMD封裝 |
SiT8924(1-110MHz, -40~125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm) | |
SiT8925(220.000001-625MHz) | ||
50kg沖擊軍品級(jí)振蕩器 SOT23-5封裝 |
SiT2020(1-110MHz, -55~125℃) | |
SiT2021(119.342001-137MHz) | ||
50kg沖擊軍品級(jí)振蕩器 標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝 |
SiT8920(1-110MHz, -55~125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm) | |
SiT8921(119.342001-137MHz) | ||
編程器與FP空白片 任意頻率,多種規(guī)格 |
SiT6100DK(SiTime硅晶振編程器套裝) | |
SiT800X/ SiT200X(低功耗可編程晶振空白片,6種封裝尺寸) | ||
SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000(低抖動(dòng)可編程晶振空白片) | ||
SiT912X/ SiT38XX(壓控差分可編程晶振空白片,3種封裝尺寸) |
目前石英晶振行業(yè)可編輯的只針對(duì)貼片晶振系列產(chǎn)品,并且只限定有源晶振的石英晶體振蕩器OSC系列尺寸。如果是普通無源石英晶體諧振器系列的話,目前是還不支持可編程的,并且是指針對(duì)SMD晶振系列,如果是引線型的插件晶振目前也不在支持范圍。
愛普生可編程晶振 | SG-8101CA | SG-8101CB | SG-8101CE | SG-8101CG |
---|---|---|---|---|
Size | 7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. | 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. | 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ. | 2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ. |
Output | CMOS | |||
Frequency range [ f0 ] |
0.67 MHz to 170 MHz | |||
Supply voltage [ Vcc] |
1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. ) |
|||
Frequency tolerance /Operating temperature |
±15 x 10-6 / -40℃ to +85℃ ±20 x 10-6 / -40℃ to +105℃ ±50 x 10-6 / -40℃ to +105℃ |
|||
Current consumption |
f0 = 20 MHz 3.0 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.5 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) f0 = 170 MHz 6.8 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.1 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) |
|||
Standby current |
0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ ) |
|||
Field oscillator programming tool | SG-Writer II愛普生晶振可編程系列 |
根據(jù)早期電子元件信息平臺(tái)發(fā)布,將來美國(guó)SiTime Corporation公司的硅晶體技術(shù)將會(huì)代替壓電石英晶體,首先主要是先把硅晶體晶片植入ICCUP芯片一起綁定,硅晶體晶片跟ICCPU綁定之后,在外圍的線路上講可以省略預(yù)留壓電石英晶體的位置,起到對(duì)貼片晶振的取代,并且可以為日益變小的電子產(chǎn)品節(jié)省更多的空間,不過時(shí)間都已經(jīng)過去好幾年了,也沒見多有所行懂,目前應(yīng)該還存在理論上。
愛普生晶振可編程系列 | SG-9101CA | SG-9101CB | SG-9101CE | SG-9101CG |
---|---|---|---|---|
Size | 7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. | 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. | 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ. | 2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ. |
Output | CMOS | |||
Frequency range [ f0 ] |
0.67 MHz to 170 MHz | |||
Supply voltage [ Vcc] |
1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. ) |
|||
Spread-spectrum | Down or Center spread modulation | |||
Operating temperature |
-40℃ to +85℃ -40℃ to +105℃ |
|||
Current consumption |
f0 = 20 MHz 3.2 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.7 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) f0 = 170 MHz 7 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.3 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) |
|||
Standby current |
0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ ) |
|||
Field oscillator programming tool | SG-Writer II愛普生晶振可編程SG-9101系列 |
那么可編程石英晶振目前市場(chǎng)如何呢?可編程石英晶振目前市場(chǎng)前景在中國(guó)國(guó)內(nèi)來說市場(chǎng)并不是很好,國(guó)內(nèi)主要還是使用常規(guī)的壓電石英晶體振蕩器多點(diǎn),目前硅晶體可編程系列在國(guó)內(nèi)接受度并沒有得到廣泛的認(rèn)可,說難聽點(diǎn)很多人連聽都沒聽說過,更別說使用了。
目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)有用到硅晶體可編程貼片晶振的企業(yè)主要以歐美企業(yè),以及代工歐美OEM的企業(yè)比較多,因?yàn)榭删幊?a target="_blank">有源晶振在歐盟接受度還是比較大的。不過可硅晶體編程有源晶振對(duì)于一些工程設(shè)計(jì),或者產(chǎn)品開發(fā)人士來說是件非常好的事情,因?yàn)楹芏喈a(chǎn)品在開發(fā)階段使用頻率都還處在選型階段,而且硅晶體屬于可編程貼片晶振,這樣就大大的滿足了工程設(shè)計(jì)階段樣品采購(gòu)。
KDS晶振可編程系列M08008系列晶振
出力周波數(shù):1 MHz~110 MHz(小數(shù)點(diǎn)以下6桁まで対応)
外形寸法:2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波數(shù)許容偏差:±20 x 10-6
低消費(fèi)電流:+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入門級(jí)SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太網(wǎng)
KDS晶振可編程 | 記號(hào) | Min. | Typ. | Max. | 単位 | 條件 |
---|---|---|---|---|---|---|
出力周波數(shù)範(fàn)囲 | f | 1 | - | 110 | MHz | |
電源電圧 | Vdd | +1.62 | +1.8 | +1.98 | V | |
+2.25 | +2.5 | +2.75 | ||||
+2.52 | +2.8 | +3.08 | ||||
+2.7 | +3.0 | +3.3 | ||||
+2.97 | +3.3 | +3.63 | ||||
+2.25 | - | +3.63 | ||||
動(dòng)作溫度範(fàn)囲 | T_use | -20 | - | +70 | ℃ | Extended Commercial |
-40 | - | +85 | Industrial | |||
周波數(shù)許容偏差 | F_stab | -20 | - | +20 | ×10-6 |
+25℃での初期周波數(shù)偏差、経時(shí)変化(1年)、溫度特性、 動(dòng)作電源電圧範(fàn)囲での電源電圧特性、負(fù)荷特性を含む。 |
-25 | - | +25 | ||||
-50 | - | +50 | ||||
消費(fèi)電流 | Idd | - | +3.8 | +4.5 | mA | No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.8V ~ +3.3V |
- | +3.7 | +4.2 | No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.5V | |||
- | +3.5 | +4.1 | No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +1.8V | |||
OEディスエーブル電流 | I_od | - | - | +4.2 | mA | Vdd = +2.5V ~ +3.3V, OE = GND, Output in high-Z state |
- | - | +4.0 | Vdd = +1.8V, OE = GND, Output in high-Z state | |||
スタンバイ時(shí)電流 | I_std | - | +2.1 | +4.3 | μA | ST= GND, Vdd = +2.8V ~ +3.3V, Output is weakly pulled down |
- | +1.1 | +2.5 | ST= GND, Vdd = +2.5V , Output is weakly pulled down | |||
- | +0.2 | +1.3 | ST= GND, Vdd = +1.8V, Output is weakly pulled down | |||
デューティーサイクル | DC | 45 | - | 55 | % | All Vdds |
0レベル電圧 | VOL | - | - | Vdd × 0.1 | V |
IOL = +4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) IOL = +3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) IOL = +2.0 mA (Vdd = +1.8V) |
1レベル電圧 | VOH | Vdd × 0.9 | - | - | V |
IOH = -4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) IOH = -3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) IOH = -2.0 mA (Vdd = +1.8V) |
立上り、立下り時(shí)間 | Tr,Tf | - | 1.0 | 2.0 | ns | Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V, 20% ~ 80% |
- | 1.3 | 2.5 | Vdd =+1.8V, 20% ~ 80% | |||
- | - | 2.0 | Vdd = +2.25V ~ +3.63V, 20% ~ 80% | |||
OE 0レベル入力電圧 | VIL | - | - | Vdd × 0.3 | V | Pin 1, OE or ST |
OE 1レベル入力電圧 | VIH | Vdd × 0.7 | - | - | V | Pin 1, OE or ST |
起動(dòng)時(shí)間 | T_start | - | - | 5.0 | ms | Vddが定格最小値に達(dá)してからの時(shí)間 |
出力イネーブル時(shí)間 出力ディスエーブル時(shí)間 |
T_oe | - | - | 130 | ns | f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * cycles |
レジューム時(shí)間 | T_resume | - | - | 5.0 | ms | ST 端子が50%のしきい値に達(dá)してからの時(shí)間 |
RMSピリオドジッタ | T_jitt | - | 1.8 | 3.0 | ps | f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V |
- | 1.8 | 3.0 | f = 75 MHz, Vdd = +1.8V | |||
Peak-to-peak ピリオドジッタ | T_pk | - | 12 | 25 | ps | f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V |
- | 14 | 30 | f = 75 MHz, Vdd = +1.8V | |||
RMS位相ジッタ (ランダム) | T_phj | - | 0.5 | 0.9 | ps | f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz ~ 7.5 MHz |
- | 1.3 | 2.0 | f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz ~ 20 MHz |
正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...
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