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HX251系列是高性能CMOS輸出振蕩器,HX2513A0024.000000

來源：http://konuaer.com 作者：康華爾電子 2022年07月28
DIODES百利通亞陶晶振所生產的石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體廣泛應用于智能設備,汽車電子,無線通訊,網絡通信,精密儀器,GPS衛(wèi)星,網絡控制器,全球GPS定位系統(tǒng)等領域.工程、銷售、倉儲和物流辦事處設在臺北,香港、曼徹斯特、上海、深圳、中國、韓國、慕尼黑、德國、以及世界各地的支持辦事處.
HX251系列是高性能CMOS輸出振蕩器,HX2513A0024.000000,HX2513F0026.000000,耐高溫晶振
FNETHE025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
FNETHE025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
FNETHE025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
FNSURV027 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 27MHz ±30ppm
FNSURV027 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 27MHz ±30ppm
FNSURV027 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 27MHz ±30ppm
FNGEPO002 亞陶石英晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 2.048MHz ±50ppm
FNGEPO002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 2.048MHz ±50ppm
FNGEPO002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 2.048MHz ±50ppm
FKSSD1025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
FKSSD1025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
FKSSD1025 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 25MHz ±25ppm
UJWIFI026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 26MHz ±20ppm
UJWIFI026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 26MHz ±20ppm
UJWIFI026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 26MHz ±20ppm
FNEPON125 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 125MHz ±50ppm
FNEPON125 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 125MHz ±50ppm
FNEPON125 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 125MHz ±50ppm
FK1330001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FK 13.3333MHz ±25ppm
FK1330001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FK 13.3333MHz ±25ppm
FK1330001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FK 13.3333MHz ±25ppm
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
我們的有源晶體振蕩器 (CXO) 提供高價值、卓越的性能和功能以及卓越的品質和服務。我們?yōu)榕可a提供快速周轉樣品、響應式技術支持和快速交貨時間。
提供多種類型和特性：
1) 尺寸從 7x5mm 到 2.0x1.6mm，
2) 傳統(tǒng) CXO 的溫度穩(wěn)定性為 ±5PPM，
3) CMOS/TTL、LVPECL、LVDS、HCSL差分晶振的輸出邏輯格式，和慢性粒細胞白血病。
我們的 CXO 被領先制造商用于各種要求苛刻的應用，從消費類到工業(yè)、汽車 (AEC-Q200/AEC-Q104)、網絡、存儲、計算、電信等。
HX251系列是高性能CMOS輸出振蕩器,HX2513A0024.000000,HX2513F0026.000000,耐高溫晶振
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm
FN2500149 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm
FN2500149 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm
FN2500149 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm
SXGPON155 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 155.52MHz ±50ppm
SXGPON155 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 155.52MHz ±50ppm
SXGPON155 亞陶晶體振蕩器 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 155.52MHz ±50ppm
HX2513F0026.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 26MHz ±50ppm
HX2513F0026.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 26MHz ±50ppm
HX2513F0026.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 26MHz ±50ppm
HX3125006Q Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±30ppm
HX3125006Q Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±30ppm
HX3125006Q Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±30ppm
NX3211C0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±50ppm
NX3211C0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±50ppm
NX3211C0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±50ppm
FJ1600002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 16MHz ±50ppm
FJ1600002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 16MHz ±50ppm
FJ1600002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 16MHz ±50ppm
JX7011D0070.656000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ JX 70.656MHz ±25ppm
JX7011D0070.656000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ JX 70.656MHz ±25ppm
JX7011D0070.656000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ JX 70.656MHz ±25ppm
UJ2600007Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ UJ 26MHz ±20ppm
HX251 XO 系列是高性能CMOS輸出振蕩器系列，支持高溫且抖動性能極低，小體積晶振尺寸2.5x2.0mm四腳貼片晶振、高溫CMOS晶體振蕩器，它支持各種選項，包括更寬的頻率范圍、1.8V/2.5V/3.3V 電壓以及在寬溫度范圍內的各種穩(wěn)定性。它旨在滿足通信系統(tǒng)、工業(yè)應用和其他高性能設備的時鐘源規(guī)范。
特征：
支持高達125ºC的高溫
低相位抖動 - < 1ps RMS 最大值。
寬頻率范圍 - 1.75 ~ 161MHz
更厚的晶體以提高可靠性
低電源電流 - 最大 40mA。
無鉛且符合 RoHS 標準
應用：
網絡系統(tǒng)
工業(yè)系統(tǒng)
專業(yè)視頻設備
測試和測量
HX251系列是高性能CMOS輸出振蕩器,HX2513A0024.000000,HX2513F0026.000000,耐高溫晶振
UJ2600007Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ UJ 26MHz ±20ppm
UJ2600007Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ UJ 26MHz ±20ppm
FJ1120001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 11.2896MHz ±25ppm
FJ1120001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 11.2896MHz ±25ppm
FJ1120001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 11.2896MHz ±25ppm
FDC500026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FD 125MHz ±50ppm
FDC500026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FD 125MHz ±50ppm
FDC500026 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FD 125MHz ±50ppm
HX7011C0025.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±25ppm
HX7011C0025.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±25ppm
HX7011C0025.000000 百利通亞陶有源晶振 SaRonix-eCera™ HX 25MHz ±25ppm
NX5011B0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
NX5011B0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
NX5011B0125.000000 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
FNA000088Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±50ppm
FNA000088Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±50ppm
FNA000088Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±50ppm
FNA000065 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±25ppm
FNA000065 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±25ppm
FNA000065 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 100MHz ±25ppm
NX71C50003 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
NX71C50003 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
NX71C50003 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±25ppm
FNC500131 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 125MHz ±50ppm
FNC500131 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 125MHz ±50ppm
HX251系列是高性能CMOS輸出振蕩器,HX2513A0024.000000,HX2513F0026.000000,耐高溫晶振
HX201   標準 25 ~ 100 2.0 x 1.6 x 0.75 CMOS 3.32.51.8 4 - 1.8V/2.5V/3.3V、2.0x1.6mm、高溫CMOS晶體振蕩器
HX251   標準 25 ~ 100 2.5 x 2.0 x 0.9 CMOS 3.32.51.8 4 - 1.8V/2.5V/3.3V、2.5x2.0mm、耐高溫晶振CMOS晶體振蕩器
HX321   標準 25 ~ 100 3.2 x 2.5 x 1.0 CMOS 3.32.51.8 4 - 1.8V/2.5V/3.3V、3.2x2.5mm、高溫CMOS晶體振蕩器
HX322   標準 25 ~ 100 3.2 x 2.5 x 1.0 LVPECL 3.32.5 6 - 2.5V/3.3V、3.2x2.5mm、高溫LVPECL晶體振蕩器
HX323   標準 25 ~ 100 3.2 x 2.5 x 1.0 LVDS 3.32.5 6 - 2.5V/3.3V、3.2x2.5mm、高溫 LVDS 晶體振蕩器
HX501   標準 25 ~ 100 5.0 x 3.2 x 1.2 CMOS 3.32.51.8 4 - 1.8V/2.5V/3.3V、5.0x3.2mm、高溫CMOS晶體振蕩器
HX502   標準 25 ~ 100 5.0 x 3.2 x 1.2 LVPECL 3.32.5 6 - 2.5V/3.3V、5.0x3.2mm、高溫LVPECL晶體振蕩器
HX503   標準 25 ~ 100 5.0 x 3.2 x 1.2 LVDS 3.32.5 6 - 2.5V/3.3V、5.0x3.2mm、高溫 LVDS 晶體振蕩器
HX701   標準 25 ~ 100 7.0 x 5.0 x 1.4 CMOS 3.32.51.8 4 - 1.8V/2.5V/3.3V、7.0x5.0mm、高溫CMOS晶體振蕩器
HX702   標準 25 ~ 100 7.0 x 5.0 x 1.4 LVPECL 3.32.5 6 - 2.5V/3.3V、7.0x5.0mm、高溫 LVPECL 晶體振蕩器


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