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更多>>石英晶振匹配設(shè)計(jì)電路
來源:http://m.tqlwapf.cn 作者:konuaer 2012年04月21
康華爾電子有限公司-石英晶振設(shè)計(jì)電路指南
康華爾電子:在日夜不斷發(fā)展成長,從民用晶體、、工業(yè)石英晶振、軍用晶振,從DIP晶振、SMD晶振、陶瓷霧化片、衛(wèi)星導(dǎo)航、聲表面濾波器系列。
從晶片研發(fā),到電路的設(shè)計(jì)。公司已經(jīng)有了實(shí)際的技術(shù)和開發(fā)生產(chǎn)能力,現(xiàn)將一些晶振設(shè)計(jì)電路,32.768K,千赫晶體匹配電容、晶振匹配IC、晶振振蕩模式、驅(qū)動(dòng)電壓和功率,焊接溫度曲線等應(yīng)用技術(shù)公布,希望在此能幫助到一些有需要的公司和設(shè)計(jì)人士。
石英晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)概述
晶振|振蕩電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)
驅(qū)動(dòng)級(jí)(DL),晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容(CL)
晶振|振蕩模式,頻率溫度曲線
晶振驅(qū)動(dòng)級(jí)(DL)
晶體單元的驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行功率或電流消耗水平(參見圖9,10和11)所示。晶體單元操作的權(quán)力過大,水平,將導(dǎo)致其特點(diǎn),這可能會(huì)導(dǎo)致晶體芯片的頻率不穩(wěn)定或物理故障的退化。你的電路設(shè)計(jì)在絕對(duì)最大驅(qū)動(dòng)電平。
石英晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容(CL)
負(fù)載電容(CL)是一個(gè)確定的晶振|振蕩電路的頻率參數(shù)。 CL是代表一個(gè)有效的等效電容,加載從晶振|振蕩電路的晶體單元的兩端(見圖12)。
晶振|振蕩頻率會(huì)有所不同,這取決于負(fù)載電容
晶振|振蕩電路。為了獲得理想的頻率精度,晶振|振蕩電路的負(fù)載電容和晶體單元之間的匹配是必需的。為使用的表晶單元,配合晶體單元的負(fù)載電容的晶振|振蕩電路的負(fù)載電容。
振蕩津貼
為了確保穩(wěn)定的振蕩電路的負(fù)電阻應(yīng)該顯著高于等效串聯(lián)電阻較大的(振蕩津貼是大)。確保振蕩津貼,是至少5倍的等效串聯(lián)電阻大。
振蕩津貼的評(píng)價(jià)方法
加入電阻“RX”系列表晶單元,并確保該振蕩啟動(dòng)或停止。近似的負(fù)阻電路是通過增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動(dòng)或停止后,逐漸使Rx值較大時(shí),得到的值。
負(fù)阻 - R的|= RX+復(fù)
|-R的是一個(gè)至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯(lián)電阻(R1的最大值)。大的價(jià)值。
* Re為振蕩過程中的有效電阻值。
RE = R1(1+ CO/ CL的)2
頻率溫度曲線
音叉晶體的頻率溫度特性的負(fù)二次曲線,其中有一個(gè)高峰期在25ºC每左圖所示。
請(qǐng)確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮,因?yàn)轭l率的幅度變化變得越來越大,溫度范圍變寬。
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B(T-TI)2
A:拋物系數(shù) T:給定的溫度
鈦成交額溫度的
作者:康華爾――晶振帝國
康華爾電子:在日夜不斷發(fā)展成長,從民用晶體、、工業(yè)石英晶振、軍用晶振,從DIP晶振、SMD晶振、陶瓷霧化片、衛(wèi)星導(dǎo)航、聲表面濾波器系列。
從晶片研發(fā),到電路的設(shè)計(jì)。公司已經(jīng)有了實(shí)際的技術(shù)和開發(fā)生產(chǎn)能力,現(xiàn)將一些晶振設(shè)計(jì)電路,32.768K,千赫晶體匹配電容、晶振匹配IC、晶振振蕩模式、驅(qū)動(dòng)電壓和功率,焊接溫度曲線等應(yīng)用技術(shù)公布,希望在此能幫助到一些有需要的公司和設(shè)計(jì)人士。
石英晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)概述
晶振|振蕩電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)
驅(qū)動(dòng)級(jí)(DL),晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容(CL)
晶振|振蕩模式,頻率溫度曲線
晶振驅(qū)動(dòng)級(jí)(DL)
晶體單元的驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行功率或電流消耗水平(參見圖9,10和11)所示。晶體單元操作的權(quán)力過大,水平,將導(dǎo)致其特點(diǎn),這可能會(huì)導(dǎo)致晶體芯片的頻率不穩(wěn)定或物理故障的退化。你的電路設(shè)計(jì)在絕對(duì)最大驅(qū)動(dòng)電平。
石英晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容(CL)
負(fù)載電容(CL)是一個(gè)確定的晶振|振蕩電路的頻率參數(shù)。 CL是代表一個(gè)有效的等效電容,加載從晶振|振蕩電路的晶體單元的兩端(見圖12)。
晶振|振蕩頻率會(huì)有所不同,這取決于負(fù)載電容
晶振|振蕩電路。為了獲得理想的頻率精度,晶振|振蕩電路的負(fù)載電容和晶體單元之間的匹配是必需的。為使用的表晶單元,配合晶體單元的負(fù)載電容的晶振|振蕩電路的負(fù)載電容。
振蕩津貼
為了確保穩(wěn)定的振蕩電路的負(fù)電阻應(yīng)該顯著高于等效串聯(lián)電阻較大的(振蕩津貼是大)。確保振蕩津貼,是至少5倍的等效串聯(lián)電阻大。
振蕩津貼的評(píng)價(jià)方法
加入電阻“RX”系列表晶單元,并確保該振蕩啟動(dòng)或停止。近似的負(fù)阻電路是通過增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動(dòng)或停止后,逐漸使Rx值較大時(shí),得到的值。
負(fù)阻 - R的|= RX+復(fù)
|-R的是一個(gè)至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯(lián)電阻(R1的最大值)。大的價(jià)值。
* Re為振蕩過程中的有效電阻值。
RE = R1(1+ CO/ CL的)2
頻率溫度曲線
音叉晶體的頻率溫度特性的負(fù)二次曲線,其中有一個(gè)高峰期在25ºC每左圖所示。
請(qǐng)確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮,因?yàn)轭l率的幅度變化變得越來越大,溫度范圍變寬。
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B(T-TI)2
A:拋物系數(shù) T:給定的溫度
鈦成交額溫度的
作者:康華爾――晶振帝國
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