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來源：http://konuaer.com 作者：konuaer 2012年05月15
晶振負(fù)載如何影響電子產(chǎn)品？
在大多數(shù)應(yīng)用中的石英晶體振蕩器驅(qū)動容性負(fù)載。 在上升沿，晶振器件消耗的電流從電源到負(fù)載電容充電。在下降沿，電容放電至GND。平均電流通過負(fù)載取決于以下參數(shù)：
輸出頻率（六出 ）。 這就決定了多久電流從電源繪制。
1.負(fù)載電容值（C LOAD）。需要更多的電流來充電，負(fù)載電容的電容值越大。
2.晶振電源電壓（V DD）。更多的電流充電所需的高電壓負(fù)載。
額外的電源，從負(fù)載電流計算如下：
i_load = C的負(fù)載 * V DD
在大多數(shù)應(yīng)用中的石英晶體振蕩器驅(qū)動容性負(fù)載。 在上升沿，晶振器件消耗的電流從電源到負(fù)載電容充電。在下降沿，電容放電至GND。平均電流通過負(fù)載取決于以下參數(shù)：
輸出頻率（六出 ）。 這就決定了多久電流從電源繪制。
1.負(fù)載電容值（C LOAD）。需要更多的電流來充電，負(fù)載電容的電容值越大。
2.晶振電源電壓（V DD）。更多的電流充電所需的高電壓負(fù)載。
額外的電源，從負(fù)載電流計算如下：
i_load = C的負(fù)載 * V DD
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